充电器和适配器等快充设备，快充需匹配高功率密度与宽电压输出规模的芯片快充芯片。深圳银联宝。特性科技  。快充推出的芯片20V单。高压 。特性带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，快充集成高压发动、芯片功率器材和。特性维护电路 。快充，芯片省去外部Boost/Buck电路及分立元件，特性缩小。快充PCB。芯片面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，特性支撑宽电压输出 ，切莫错失！

PD快充芯片U8725AHE首要特性 ：

1. 集成 高压 E-GaN。

2. 集成高压发动功用
。

3. 超低发动和作业。电流  。，待机功耗 。 <30mW

4. 谷底确定形式 ， 最高作业频率两档可调(220kHz
，130kHz) 。

5. 集成 EMI 优化技能。

6. 驱动电流分档装备。

7. 集成 Boost 供电电路。

8. 集成齐备的维护功用：

VDD 过压/欠压维护 (VDD OVP/UVLO)。

输出过压/欠压维护 (DEM OVP/UVP)
。

输入过压/欠压维护 (LOVP /BOP)。

片内过热维护 (OTP)。

逐周期电流约束 (OCP) 。

反常过流维护 (AOCP) 。

短路维护 (SCP)。

过载维护 (OLP)。

前沿消隐 (LEB) 。

CS 管脚开路维护。

9. 封装类型 ESOP-7。

针对宽输出电压使用场合，为了满意VDD的宽电压使用需求，往往需求增加额定的电路或许辅佐绕组，导致体系功耗和电路本钱的增加。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供电技能 ，仅在SW管脚增加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时 ，Boost电路发动作业，保持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V)，当输出电压升高，辅佐绕组电压高于VBOOST_REG时
，Boost电路停止作业，VDD由辅佐绕组供电。

PD快充芯片U8725AHE引脚阐明 ：

1 CS I/O。 电流采样 
。输入 、最高频率挑选管脚 。

2 FB I 体系反应输入管脚。

3 DEM I/O 消磁检测 、输出 OVP 检测、驱动才能分档断定管脚 。

4 VDD P 芯片供电管脚。

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚。

6 GND P 芯片参阅地 。

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压发动供电管脚。

深圳银联宝科技这款20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE ，经过‌高集成规划 、动态功率安稳、谷底确定及降频作业形式等高效能体现‌，明显优化了体系体积、可靠性和能效，成为快充设备。电源芯片
。计划的抱负挑选 ！